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文献
J-GLOBAL ID：200902158184564992
整理番号：96A0131822
反応性イオンエッチングを用いて作製した2x2 InGaAsP/InPレーザ増幅ゲートスイッチアレイ
2×2 InGaAsP/InP laser amplifier gate switch arrays using reactive ion etching.
OH K R
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
AHN J-H
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
KIM J S
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
LEE S W
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
KIM H M
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
PYUN K E
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
PARK H M
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 32 号： 1 ページ： 39-40 発行年： 1996年01月04日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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