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文献
J-GLOBAL ID：200902158198035640
整理番号：96A0543109
高アスペクト比のホールの高選択性のSiO2/Si3N4エッチングの評価
Characterization of Highly Selective SiO2/Si3N4 Etching of High-Aspect-Ratio Holes.
HAYASHI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KURIHARA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SEKINE M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 4B ページ： 2488-2493 発行年： 1996年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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