文献
J-GLOBAL ID:200902158324630745
整理番号:97A0833678
バックゲートバイアスとプロセスの変動を考慮した,3-パラメータに限定したMOSFETのサブスレッショルド電流のCADモデル
A Three-Parameters-Only MOSFET Subthreshold Current CAD Model Considering Back-Gate Bias and Process Variation.
著者 (2件):
CHEN M-J
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
HO J-S
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
(IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems)
巻:
16
号:
4
ページ:
343-352
発行年:
1997年04月
JST資料番号:
B0142C
ISSN:
0278-0070
CODEN:
ITCSDI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)