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文献
J-GLOBAL ID：200902158369396484
整理番号：94A0522337
GaAs(100)上の歪んだInAsの3次元の島形成と分布の特性
Nature of strained InAs three-dimensional island formation and distribution on GaAs(100).
MADHUKAR A
(Univ. Southern California, California)
,
XIE Q
(Univ. Southern California, California)
,
CHEN P
(Univ. Southern California, California)
,
KONKAR A
(Univ. Southern California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 20 ページ： 2727-2729 発行年： 1994年05月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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