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文献
J-GLOBAL ID：200902158426493173
整理番号：98A0267739
サファイア基板からのGaN薄膜の損傷無しの分離
Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates.
WONG W S
(Univ. California, California)
,
SANDS T
(Univ. California, California)
,
CHEUNG N W
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 5 ページ： 599-601 発行年： 1998年02月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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