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文献
J-GLOBAL ID：200902158578287714
整理番号：99A0892752
非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi0.5Ge0.5傾斜層
A surfactant-mediated relaxed Si0.5Ge0.5 graded layer with a very low threading dislocation density and smooth surface.
LIU J L
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
MOORE C D
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
U’REN G D
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
LUO Y H
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
LU Y
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
JIN G
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
THOMAS S G
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
GOORSKY M S
(Univ. California at Los Angeles, California)
,
WANG K L
(Univ. California at Los Angeles, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 11 ページ： 1586-1588 発行年： 1999年09月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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