文献
J-GLOBAL ID:200902158669659029
整理番号:00A0347304
イオン注入によるn型ダイヤモンドのGaオーム接触
Ga Ohmic contact for n-type diamond by ion implantation.
著者 (3件):
TERAJI T
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
,
KOIZUMI S
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
,
KANDA H
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
10
ページ:
1303-1305
発行年:
2000年03月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)