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文献
J-GLOBAL ID：200902158705453106
整理番号：01A0523866
AlGaNディープレベル欠陥がAlGaN/GaNの2次元電子ガス〔2-DEG)キャリア閉込めに及ぼす影響
Influence of AlGaN Deep Level Defects on AlGaN/GaN 2-DEG Carrier Confinement.
BRADLEY S T
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
YOUNG A P
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
BRILLSON L J
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
MURPHY M J
(Cornell Univ., NY, USA)
,
SCHAFF W J
(Cornell Univ., NY, USA)
,
EASTMAN L F
(Cornell Univ., NY, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 412-415 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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