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文献
J-GLOBAL ID:200902158705453106   整理番号:01A0523866

AlGaNディープレベル欠陥がAlGaN/GaNの2次元電子ガス〔2-DEG)キャリア閉込めに及ぼす影響

Influence of AlGaN Deep Level Defects on AlGaN/GaN 2-DEG Carrier Confinement.
著者 (6件):
BRADLEY S T
(Ohio State Univ., OH, USA)
YOUNG A P
(Ohio State Univ., OH, USA)
BRILLSON L J
(Ohio State Univ., OH, USA)
MURPHY M J
(Cornell Univ., NY, USA)
SCHAFF W J
(Cornell Univ., NY, USA)
EASTMAN L F
(Cornell Univ., NY, USA)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 48  号:ページ: 412-415  発行年: 2001年03月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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