文献
J-GLOBAL ID:200902158709290996
整理番号:98A0732902
再構成されたGaAs(001)面上での島状構造の核形成および成長
Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces.
著者 (6件):
ITOH M
(Imperial Coll., London, GBR)
,
BELL G R
(Imperial Coll., London, GBR)
,
AVERY A R
(Imperial Coll., London, GBR)
,
JONES T S
(Imperial Coll., London, GBR)
,
JOYCE B A
(Imperial Coll., London, GBR)
,
VVEDENSKY D D
(Imperial Coll., London, GBR)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
81
号:
3
ページ:
633-636
発行年:
1998年07月20日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)