文献
J-GLOBAL ID:200902158820404674
整理番号:94A0117482
Si基板上の窒化物薄膜における電子移行過程の光コンダクタンス減衰を介しての測定
Measurement of the electronic transfer process in nitride film on a silicon substrate via photoconductance decay.
著者 (3件):
ZHONG L
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
TSUYA H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
SHIMURA F
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
12
ページ:
7311-7314
発行年:
1993年12月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)