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文献
J-GLOBAL ID：200902158837966625
整理番号：99A0808144
Si(001)上に成長させたSiGe合金を用いた絶縁体上SiGe基板
SiGe-on-insulator substrate using SiGe alloy grown Si(001).
ISHIKAWA Y
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SHIBATA N
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
FUKATSU S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 7 ページ： 983-985 発行年： 1999年08月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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