文献
J-GLOBAL ID:200902158936148977
整理番号:96A0443857
走査トンネル顕微鏡/走査トンネル分光で調べたSi(100)-2×1表面における酸化物形成
Oxide Formation on Si(100)-2×1 Surfaces Studied by Scanning Tunneling Microscopy/Scanning Tunneling Spectroscopy.
著者 (6件):
IKEGAMI H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHMORI K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IWANO H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
2B
ページ:
1593-1597
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)