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文献
J-GLOBAL ID：200902159008019232
整理番号：95A0907670
バナジウム添加の高抵抗6H-SiCでの補償機構
On the compensation mechanism in high-resistivity 6H-SiC doped with vanadium.
JENNY J R
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
SKOWRONSKI M
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
MITCHEL W C
(Wright Lab., Ohio)
,
HOBGOOD H M
(Westinghouse Sci. and Technol., Pennsylvania)
,
GLASS R C
(Westinghouse Sci. and Technol., Pennsylvania)
,
AUGUSTINE G
(Westinghouse Sci. and Technol., Pennsylvania)
,
HOPKINS R H
(Westinghouse Sci. and Technol., Pennsylvania)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 78 号： 6 ページ： 3839-3842 発行年： 1995年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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