文献
J-GLOBAL ID:200902159087468454
整理番号:01A0835729
バルクGaN上に成長させた高効率,高出力AlGaNベースの紫外発光ダイオード
Efficient and high-power AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode grown on bulk GaN.
著者 (3件):
NISHIDA T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAITO H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
79
号:
6
ページ:
711-712
発行年:
2001年08月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)