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文献
J-GLOBAL ID：200902159094641960
整理番号：02A0225968
有機金属化学蒸着成長GaInNAs/GaAs量子井戸のためのヘテロ界面に対する光ルミネセンスの依存性
Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells.
KAWAGUCHI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
GOUARDES E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 6 ページ： 962-964 発行年： 2002年02月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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