文献
J-GLOBAL ID:200902159097710482
整理番号:98A0694271
MBE成長させた垂直型のサブ100nm MOSFETにおける電場操作
Electric field tailoring in MBE-grown vertical sub-100nm MOSFETs.
著者 (5件):
HANSCH W
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
RAO V R
(Univ. California, CA, USA)
,
FINK C
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
KAESEN F
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
,
EISELE I
(Univ. Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
321
ページ:
206-214
発行年:
1998年05月26日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)