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文献
J-GLOBAL ID：200902159209790735
整理番号：96A0366307
4H及び6H-SiC中のバナジウムアクセプタ準位の位置の深準位過渡分光とHall効果による研究
Deep level transient spectroscopic and Hall effect investigation of the position of the vanadium acceptor level in 4H and 6H SiC.
JENNY J R
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
SKOWRONSKI J
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
MITCHEL W C
(Wright Lab., Ohio)
,
HOBGOOD H M
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania)
,
GLASS R C
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania)
,
AUGUSTINE G
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania)
,
HOPKINS R H
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 14 ページ： 1963-1965 発行年： 1996年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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