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文献
J-GLOBAL ID：200902159307837715
整理番号：02A0200604
積層サラウンディングゲートトランジスタ(S-SGT)構造セルを持つ新規超高密度フラッシュメモリ
Novel Ultra High Density Flash Memory with A Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) Structured Cell.
ENDOH T
(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)
,
KINOSHITA K
(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)
,
TANIGAMI T
(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)
,
WADA Y
(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)
,
SATO K
(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)
,
YAMADA K
(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA T
(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)
,
TAKEUCHI N
(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)
,
MASUOKA F
(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2001 ページ： 33-36 発行年： 2001年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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