文献
J-GLOBAL ID:200902159330083477
整理番号:99A0326680
薄膜と超微粒子の間の反応によるSiCの成長
Growth of SiC by Reaction between Thin Films and Ultrafine Particles.
著者 (8件):
KAITO C
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
KIMURA S
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
OJIMA Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
HATAYAMA Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
BAN D
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NAKADA T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SAITO Y
(Kyoto Inst. Technol, Kyoto, JPN)
,
KOIKE C
(Kyoto Pharmaceutical Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
1A
ページ:
213-214
発行年:
1999年01月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)