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文献
J-GLOBAL ID：200902159527165955
整理番号：99A0497706
Sr2(Ta,Nb)2O7薄膜を用いた強誘電体メモリFETの特性
Properties of Ferroelectric Memory FET Using Sr2(Ta, Nb)2O7 Thin Film .
FUJIMORI Y
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA T
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KAMISAWA A
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 4B ページ： 2285-2288 発行年： 1999年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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