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文献
J-GLOBAL ID：200902159528315306
整理番号：01A0200943
チタン酸ビスマス強誘電体の大残留分極に対する欠陥制御 高価数カチオンのドーピング効果
Defect Control for Large Remanent Polarization in Bismuth Titanate Ferroelectrics. Doping Effect of Higher-Valent Cations.
NOGUCHI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIWA I
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
GOSHIMA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIYAYAMA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 12B ページ： L1259-L1262 発行年： 2000年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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