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文献
J-GLOBAL ID：200902159529367040
整理番号：97A0945303
インプリントリソグラフィーを使って作製したナノスケールシリコン電界トランジスタ
Nanoscale silicon field effect transistors fabricated using imprint lithography.
GUO L
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
KRAUSS P R
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
CHOU S Y
(Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 13 ページ： 1881-1883 発行年： 1997年09月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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