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文献
J-GLOBAL ID:200902159556096415   整理番号:98A0740985

タングステンのマスクを使う有機金属気相エピタクシーによるGaNの選択領域成長

Selective Area Growth of GaN Using Tungsten Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
著者 (9件):
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
NAMBU S
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
SONE H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
SHIBATA T
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
MATSUSHIMA H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
YAMAGUCHI M
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 37  号: 7B  ページ: L845-L848  発行年: 1998年07月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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