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文献
J-GLOBAL ID：200902159556096415
整理番号：98A0740985
タングステンのマスクを使う有機金属気相エピタクシーによるGaNの選択領域成長
Selective Area Growth of GaN Using Tungsten Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
NAMBU S
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
SONE H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
SHIBATA T
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
MATSUSHIMA H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 7B ページ： L845-L848 発行年： 1998年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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