文献
J-GLOBAL ID:200902159583223895
整理番号:93A0526068
Molecular beam epitaxial grown of Sb/GaSb multilayer structures: potential application as a narrow bandgap system.
著者 (7件):
GOLDING T D
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
DURA J A
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
WANG W C
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
ZBOROWSKI J T
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
VIGLIANTE A
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
CHEN H C
(Univ. Houston, Texas, USA)
,
MEYER J R
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
127
号:
1/4
ページ:
777-782
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)