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文献
J-GLOBAL ID：200902159612017124
整理番号：01A0724263
真の屈折率でガイドされた自己整合構造を持つモノリシック集積した780nm帯高出力レーザダイオードと650nm帯レーザダイオード
Monolithically Integrated 780-nm-Band High-Power and 650-nm-Band Laser Diodes with Teal Refractive Index Guided Self-Aligned Structure.
ONISHI T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
IMAFUJI O
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
FUKUHISA T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
MOCHIDA A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KOBAYASHI Y
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
YURI M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
ITOH K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
SHIMIZU H
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 13 号： 6 ページ： 550-552 発行年： 2001年06月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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