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文献
J-GLOBAL ID：200902159769782657
整理番号：01A0523889
AlGaN/GaN HFETのDCおよびRF特性に対する表面状態の影響
The Impact of Surface States on the DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HFETs.
VETURY R
(Univ. California, CA, USA)
,
ZHANG N Q
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 560-566 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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