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文献
J-GLOBAL ID：200902159772395990
整理番号：93A0667638
金属有機化学蒸着法でシリコン基板上に成長させたGaInAsP/InP1.35μm二重ヘテロ構造レーザ
GaInAsP/InP 1.35μm double heterostructure laser grown on silicon substrate by metalorganic chemical vapor deposition.
MOBARHAN K
(Northwestern Univ., Illinois)
,
JELEN C
(Northwestern Univ., Illinois)
,
KOLEV E
(Northwestern Univ., Illinois)
,
RAZEGHI M
(Northwestern Univ., Illinois)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 74 号： 1 ページ： 743-745 発行年： 1993年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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