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文献
J-GLOBAL ID：200902159872303201
整理番号：01A0972754
Siエミッタ上に成長させたカーボンナノチューブ電界エミッタアレイからの放出特性
Emission Properties from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (FEAs) Grown on Si Emitters.
YOSHIMOTO T
(Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN)
,
IWATA T
(Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN)
,
MINESAWA R
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Advanced Ind. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 9A/B ページ： L983-L985 発行年： 2001年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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