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文献
J-GLOBAL ID：200902159940640203
整理番号：93A0276160
GaAsに含まれるシリコンに関係した欠陥の種々の配位
Various configurations of silicon-related defects in GaAs.
OKADA Y
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
,
FUJII K
(Mitsubishi Kasei Corp., Ushiku, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 117/118 ページ： 381-386 発行年： 1993年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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