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文献
J-GLOBAL ID：200902160066896632
整理番号：95A0539379
化学蒸着による低温(850°C)シリコンエピタキシャル膜中への酸素と塩素原子の導入
Incorporation of oxygen and chlorine atoms into low-temperature (850°C) silicon epitaxial films by chemical vapor deposition.
MIYAUCHI A
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
UEDA K
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
INOUE Y
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI T
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
IMAI Y
(Kokusai Electric Co. Ltd., Toyama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 21 ページ： 2867-2869 発行年： 1995年05月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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