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文献
J-GLOBAL ID：200902160206097590
整理番号：02A0173445
Application of parallel connected power-MOSFET elements to high current d.c. power supply.
MATSUKAWA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SHIOYAMA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SHIMADA K
(JAERI Naka, Ibaraki, JPN)
,
TAKAKU T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NEUMEYER C
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
TSUJI-IIO S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SHIMADA R
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Fusion Engineering and Design
(Fusion Engineering and Design)
巻： 58/59 ページ： 63-67 発行年： 2001年11月
JST資料番号： T0497A ISSN： 0920-3796 CODEN： FEDEEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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