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文献
J-GLOBAL ID：200902160336637260
整理番号：97A0831024
陽極酸化法で製作した単結晶Siフィールドエミッタ
Single-crystal Si field emitter fabricated by anodization.
HIGA K
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
NISHII K
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 7 ページ： 983-985 発行年： 1997年08月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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