文献
J-GLOBAL ID:200902160477905950
整理番号:94A0089287
イオン注入により前もって非晶質化したシリコン上に400°Cにおける空間的に閉込められたニッケル二シリサイドの形成
Spatially confined nickel disilicide formation at 400°C on ion implantation preamorphized silicon.
著者 (6件):
EROKHIN YU N
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
PATNAIK B K
(Univ. North Carolina, North Carolina)
,
WHITE C W
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
HONG F
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
PRAMANICK S
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
ROZGONYI G A
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
23
ページ:
3173-3175
発行年:
1993年12月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)