文献
J-GLOBAL ID:200902160482394972
整理番号:00A0897648
低記録密度用途の1.25V,低コスト埋め込みフラッシュメモリ
1.25 Volt, Low Cost, Embedded FLASH Memory for Low Density Applications.
著者 (2件):
MCPARTLAND R J
(Bell Lab.)
,
SINGH R
(Bell Lab.)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2000
ページ:
158-161
発行年:
2000年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)