文献
J-GLOBAL ID:200902160570831509
整理番号:94A0098080
シリコン中のV族不純物の対拡散模型の研究における準空格子点形成エネルギーの減少
Decrease in Quasi Vacancy Formation Energy in the Study of Pair Diffusion Model of Group V Impurities in Silicon.
著者 (1件):
YOSHIDA M
(Myushu Inst. Design, Fukuoka)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
12A
ページ:
5523-5524
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)