文献
J-GLOBAL ID:200902160596238822
整理番号:01A1029679
急速熱処理でアニールした高k誘電体ZrO2膜の特性
Characterization of high-K dielectric ZrO2 films annealed by rapid thermal processing.
著者 (2件):
HU Y-Z
(Mattson Technol., Inc., California)
,
TAY S-P
(Mattson Technol., Inc., California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
19
号:
5
ページ:
1706-1714
発行年:
2001年09月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)