文献
J-GLOBAL ID:200902160624368060
整理番号:98A0305694
ab initio分子動力学シミュレーションに基づいた低抵抗率n型ダイヤモンドの原子価制御と同時ドーピング
Valence controls and codoping for low-resistivity n-type diamond by ab initio molecular-dynamics simulation.
著者 (3件):
NISHIMATSU T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KATAYAMA-YOSHIDA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ORITA N
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
258/263
号:
Pt.2
ページ:
799-803
発行年:
1997年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)