文献
J-GLOBAL ID:200902160624719173
整理番号:93A0248325
最新型のSIMOXとZMR SOIの基板上に成長させたゲート酸化物の品質
Quality of Gate Oxides Grown on State-of-the-Art SIMOX and ZMR SOI Substrates.
著者 (1件):
KARULKAR P C
(Massachusetts Inst. Technology, MA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
14
号:
2
ページ:
80-82
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)