文献
J-GLOBAL ID:200902160638946245
整理番号:93A0937364
水素化非晶質けい素薄膜の高速成長のための陰極加熱と水素希釈によるシランの放電中の粉体の生成の制御
Control of powder formation in silane discharge by cathode heating and hydrogen dilution for high-rate deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films.
著者 (5件):
BANERJEE R
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
SHARMA S N
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
CHATTOPADHYAY S
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
BATABYAL A K
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
BARUA A K
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
7
ページ:
4540-4545
発行年:
1993年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)