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文献
J-GLOBAL ID：200902160666198289
整理番号：94A0118286
Photo-induced current transient spectroscopy of Al0.48In0.52As semi-insulating layers grown on InP by molecular beam epitaxy.
KALBOUSSI A
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
HALKIAS G
(Foundation for Research and Technology, Crete, GRC)
,
GEORGAKILAS A
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
MARRAKCHI G
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
ZEKENTES K
(Foundation for Research and Technology, Crete, GRC)
,
CRISTOU A
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
TABATA A
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
GUILLOT G
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 22 号： 1 ページ： 93-96 発行年： 1993年12月20日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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