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J-GLOBAL ID：200902160808246448 整理番号：93A0649005

相位シフトマスク実用化の検討 (5) DRAM容量パターン形成

The application of phase-shifting mask to DRAM cell capacitor fabrication.

著者 (5件)：

杉浦恵美子

(松下電子工業)

渡辺尚志

(松下電子工業)

射守矢廉

(松下電子工業)

戸所義博

(松下電子工業)

井上森雄

(松下電子工業)

資料名：

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 608 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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