文献
J-GLOBAL ID:200902160829016655
整理番号:95A0206754
11W Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートHeterostructure FET
An 11W Ku-band Heterostructure FET with WSi/Au T-shaped buried Gate.
著者 (9件):
宇土元純一
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
小丸真喜雄
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
後藤清毅
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
後藤慶
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
井上晃
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
国井徹郎
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
河野康孝
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
谷野憲之
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
,
三井茂
(三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
94
号:
435(ICD94 190-203)
ページ:
67-72
発行年:
1995年01月19日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)