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文献
J-GLOBAL ID：200902160909403390
整理番号：97A0586963
Si(001)上の歪Si1-xGex,Si1-yCyおよびSi1-x-yGexCyにおける価電子帯オフセットのX線光電子分光法による評価
X-ray photoelectron spectroscopic evaluation of valence band offsets for strained Si1-xGex,Si1-yCy, and Si1-x-yGexCy on Si(001).
KIM M
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt, DEU)
,
OSTEN H J
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 20 ページ： 2702-2704 発行年： 1997年05月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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