文献
J-GLOBAL ID:200902160936593681
整理番号:93A0491130
MBE growth of Si-inserted GaAs quantum wells and their electronic properties.
著者 (4件):
SASAGAWA R
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MATSUSUE T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGAWARA H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAKAKI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
129
ページ:
342-352
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)