文献
J-GLOBAL ID:200902160964510260
整理番号:98A0760566
ホットキャリアでストレスされたn-MOSFETにおけるドレイン・リーク電流劣化に関する電圧縮小と温度の効果
Voltage Scaling and Temperature Effects on Drain Leakage Current Degradation in a Hot Carrier Stressed n-MOSFET.
著者 (6件):
WANG T
(National Chiao-Tung Univ., TWN)
,
HSU C F
(National Chiao-Tung Univ., TWN)
,
CHIANG L P
(National Chiao-Tung Univ., TWN)
,
ZOUS N K
(National Chiao-Tung Univ., TWN)
,
CHAO T S
(National Nano Devices Lab., Hsin-Chu, TWN)
,
CHANG C Y
(National Chiao-Tung Univ., TWN)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
36th
ページ:
209-213
発行年:
1998年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)