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文献
J-GLOBAL ID：200902160993239339
整理番号：93A0709889
The Effect of Base Dopant Level and Thickness on The Radiation Response of Ga0.47In0.53As Solar Cells.
WALTERS R J
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
SHAW G J
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
SUMMERS G P
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
MESSENGER S R
(SFA, Inc., MD)
資料名：
5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ： 600-604 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930399 ISBN： 0-7803-0994-4 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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