文献
J-GLOBAL ID:200902161010927426
整理番号:94A0314072
AlInAs/InGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける非平衡電子輸送による1/fノイズ電流の減少
Reduction of 1/f Noise Current with Non-equilibrium Electron Transport in AlInAs/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors.
著者 (6件):
CHEN Y K
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
FAN L
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
HUMPHREY D A
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
TATE A
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SIVCO D
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
CHO A Y
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1993
ページ:
803-806
発行年:
1993年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)