文献
J-GLOBAL ID:200902161032758830
整理番号:00A0547273
4H-SiCのSchottkyダイオードのブレークダウンに及ぼすエピタキシャル成長と基板によって誘起される欠陥の影響
Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes.
著者 (7件):
WAHAB Q
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ELLISON A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HENRY A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HALLIN C
(ABB Corp. Res., Vaesteras, SWE)
,
DI PERSIO J
(Univ. Sci. and Technol. Lille, Villeneuve d’Asq, FRA)
,
MARTINEZ R
(Univ. Sci. and Technol. Lille, Villeneuve d’Asq, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
19
ページ:
2725-2727
発行年:
2000年05月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)