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文献
J-GLOBAL ID:200902161079219210   整理番号:98A0177142

表面亀裂を伴うNH3を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長

High Quality Homoepitaxial GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy with NH3 on Surface Cracking.
著者 (9件):
MAYER M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
PELZMANN A
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
KAMP M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
EBELING K J
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
TEISSEYRE H
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
NOWAK G
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
LESZCZYNSKI M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
KARCZEWSKI G
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 36  号: 12B  ページ: L1634-L1636  発行年: 1997年12月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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