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文献
J-GLOBAL ID：200902161079219210
整理番号：98A0177142
表面亀裂を伴うNH3を利用した分子線エピタクシーによる高品質ホモエピタキシャルGaNの成長
High Quality Homoepitaxial GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy with NH3 on Surface Cracking.
MAYER M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
PELZMANN A
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
KAMP M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
EBELING K J
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
TEISSEYRE H
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
NOWAK G
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
LESZCZYNSKI M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
KARCZEWSKI G
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 12B ページ： L1634-L1636 発行年： 1997年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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