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文献
J-GLOBAL ID：200902161198550880
整理番号：95A0605184
層間誘電体適用のための斬新な自己プレーナ化CVD酸化膜
Novel Self-planarizing CVD Oxide for Interlayer Dielectric Applications.
MATSUURA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
HAYASHIDE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOTANI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Ryoden Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
IUCHI H
(Ryoden Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
DOBSON C D
(Electrotech International Ltd., Bristol, GBR)
,
KIERMASZ A
(Electrotech International Ltd., Bristol, GBR)
,
BEEKMANN K
(Electrotech International Ltd., Bristol, GBR)
,
WILBY R
(Electrotech International Ltd., Bristol, GBR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1994 ページ： 117-120 発行年： 1994年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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